一种半导体器件和掩膜版

一种半导体器件和掩膜版，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有由隔离结构界定的有源区，所述有源区沿第一方向延伸；栅极结构，形成在所述半导体衬底上且横跨所述有源区，所述栅极结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；其中，所述有源区和所述栅极结构至少之一具有凸出主体边界的凸出部，所述凸出部至少部分位于所述有源区与所述栅极结构的交叠区域。该半导体器件能够提高有源区与栅极结构的有效交叠面积，有效抑制了器件的漏电流偏大的问题，提高器件性能。