像素阵列基板及其制造方法

本发明提供一种像素阵列基板的制造方法，包括在基板上形成半导体层、在半导体层上形成金属堆叠层、在金属堆叠层上形成光刻胶图案，以及利用干式蚀刻制程一次性地移除金属堆叠层与半导体层中未被光刻胶图案覆盖的部分，以形成主动元件的源极、漏极与半导体图案。半导体层的材料包括非晶硅半导体。金属堆叠层包括第一钛层、铝层与第二钛层。源极与漏极分别具有彼此相对的源极侧缘与漏极侧缘。半导体图案具有位于源极与漏极之间的凹槽，且源极侧缘与漏极侧缘分别定义出凹槽的相对两侧壁。一种采用像素阵列基板的制造方法制作出的像素阵列基板也被提出。