一种硅基III-V族光电平衡探测器及其制备方法

本发明公开了一种硅基III‑V族光电平衡探测器及其制备方法，所述硅基III‑V族光电平衡探测器基于多层绝缘硅衬底制备，包括光输入区、光干涉区、光输出区、光路调整区、光耦合区、III‑V族光电探测区、测试电极区；所述III‑V族光电探测区包括第一III‑V族光电探测器和第二III‑V族光电探测器，且两者之间有电隔离沟；所述测试电极区包括三个相互电隔离的测试电极。本发明在硅基衬底上利用直接外延的III‑V族半导体材料构建光电探测的核心结构，以实现高效的光电转换；同时基于硅光子平台完成波导、干涉器、耦合器等光路功能器件的集成，有效兼顾器件性能与集成密度要求，适用于大规模光子集成电路的应用需求。