一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法

一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法，涉及红外探测技术领域，通过InSb晶圆生长掩蔽层，得到有掩蔽层的InSb晶圆，有掩蔽层的InSb晶圆进行电化学沉积，得到表面存在阳极氧化层的InSb晶圆，表面存在阳极氧化层的InSb晶圆进行等离子体处理，并进行沉积钝化层，得到完成钝化的InSb晶圆；通过光刻胶掩蔽层和等离子体刻蚀工艺获得了表面钝化效果好InSb光电二极管，较常规钝化工艺而言，本发明在保证InSb晶圆较好钝化效果的同时，解决自然氧化层引起的腐蚀液对钝化层不规则腐蚀的问题，进而解决因钝化层缺失造成的PN结侧壁漏电现象。