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一种双面poly结构的Topcon太阳能电池制备方法
发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘映国; 俞少华; 张敏
IPC 分类
H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/17 (2025.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/24 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/56 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)
本发明公开了一种双面poly结构的Topcon太阳能电池制备方法,涉及光伏电池制造技术领域,包括:选取N型硅片并抛光;使用LPCVD设备沉积二氧化硅隧穿层和本征硅;进行硼扩散;采用氢氟酸去除BSG层;使用ALD设备在正背两面沉积氧化铝层;在有P型多晶硅的一面镀制氮化硅层;进行碱制绒使无氮化硅层面形成金字塔结构;使用LPCVD设备沉积二氧化硅隧穿层和本征硅;进行磷扩散;进行RCA去绕镀处理;使用PECVD设备在正面沉积氮化硅钝化层;进行丝网印刷,再烧结炉固化,得到最终电池。本发明中背面p‑poly层能够实现较好半接触性能,n‑poly层在正面绒面结构中具有较好表面钝化能力,有效抑制表面复合损失,该电池结构能够有效降低接触电阻,提升电极填充因子和光电转换效率。