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一种反式钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池
发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
请求不公布姓名; 请求不公布姓名
IPC 分类
H10K 30/86 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 71/30 (2023.01)H10K 71/16 (2023.01)
本发明提供一种反式钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池,制备方法包括如下步骤:提供透明导电层;基于铈掺杂NiO靶材,通过溅射工艺在所述透明导电层上形成铈掺杂空穴传输层,所述铈掺杂NiO靶材中铈的质量比为1%~3%;在所述铈掺杂空穴传输层上形成钙钛矿吸收层,所述钙钛矿吸收层的材料为ABX结构,其中,A为甲脒离子、甲胺离子或铯离子中的一种或多种,B为铅离子,X包括碘离子;在所述钙钛矿吸收层上依次形成电子传输层和背电极层。通过溅射工艺对氧化镍HTL层进行合适浓度的体掺杂,能够利用的紫外吸收和空穴捕获作用,同时提升钙钛矿电池稳定性和效率。