CNIPA.AI
返回搜索
档案

一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法

发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

姚鹏; 杨梓萌; 王庆伟; 王海仲; 辛学瑞; 赵元豪; 褚东凯; 屈硕硕; 黄传真; 刘含莲; 朱洪涛; 邹斌

IPC 分类

H10P 54/20 (2026.01)H10P 50/64 (2026.01)

本发明提供一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法,涉及单晶硅加工技术领域,针对目前晶向定向方法需要依赖独立设备并且定向后二次装夹产生叠加误差的问题,通过粗调结合精调的定向方式,粗调阶段以单晶硅片边缘为基准,通过光标跟踪快速锁定主定位边方向,避免初始基准偏差;精调阶段利用菱形定位孔底面的晶面短直线作为晶向直接参考,利用各向异性湿法刻蚀中,(111)晶面刻蚀速率低,其汇交直线能精准反映真实晶向,通过光标实时跟踪该直线微调姿态,达到精确晶向定向,在精调定向后无需转移单晶硅片与二次装夹即可进行后续的加工,从结构上消除了二次叠加误差,整个定向过程依赖飞秒激光加工与湿法刻蚀的快速协同。