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深沟槽隔离结构及其制作方法
发明专利有效
11权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王俊杰
IPC 分类
H10W 10/17 (2026.01)H10W 10/40 (2026.01)H10W 10/00 (2026.01)H10D 62/10 (2025.01)
本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法,包括衬底及由深入衬底的隔离沟槽隔离形成的条形结构,条形结构包括柱体及柱体两侧交错设置的凸起。本发明改变原有硅柱的结构设计,在硅柱的两侧间隔设置凸起,凸起相当于增加了DTI硅柱的宽度,避免硅柱倒掉或侧倾;进一步的,本发明通过控制单侧凸起高度与隔离热氧化层厚度的关系,确保热氧化过程中凸起部分充分氧化,在避免硅柱倒掉或侧倾时,不影响后续填充材料填充隔离沟槽。另外,本发明提供的深沟槽隔离结构,不改变原有设计的space尺寸,不增加DTI硅柱的尺寸,有利于减小隔离结构总尺寸。