半导体器件及形成方法

本公开涉及半导体器件及形成方法。在半导体器件的接触结构上形成半导体器件的导电结构之前，执行使用金属前体的预清洁操作以从接触结构的顶表面去除金属氧化物层。针对预清洁操作使用金属前体作为预清洁剂使得能够完全去除原生氧化物(而不仅是诸如氧之类的组成成分)，而不导致在接触结构的顶表面中形成孔隙，使得能够在接触结构和导电结构之间实现低接触电阻。