半导体器件和形成用于FCBGA-H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法

半导体器件和形成用于FCBGA‑H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法。一种半导体器件具有衬底和布置在衬底上方的电组件。具有等离子体增强表面的散热器布置在电组件上方。TIM布置在电组件和散热器的等离子体增强表面之间。TIM可以沉积在电组件或等离子体增强表面上。等离子体增强表面包含氩离子和氧离子。散热器布置在反应室中。反应物气体(诸如氩气和氧气)被引入到反应室中。在反应室内形成电场以电离氩气和氧气并形成等离子体增强表面。等离子体增强表面具有粗糙度和粘性的特性或粘合特性，因为表面的性质表现出化学键合基团。底部填充材料沉积在电组件和衬底之间。电组件可以是倒装芯片型半导体管芯。