一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法

本申请涉及一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法，半导体材料采用Si、SiC、GaAs、GaN或Ga2O3，给定一种材料和最大允许的反向漏电流，肖特基接触表面的最大电场强度主要取决于肖特基势垒的高度和温度，电场调制技术和热管理技术是高压功率器件创新的关键突破口，电场调制技术的原理是通过离子注入工艺对半导体材料进行掺杂，或通过沟槽刻蚀技术改变器件表面形貌，实现平衡电场分布，热管理采用在沟槽（trench）内集成金刚石的方法，金刚石具有极高的热导率，集成在SBD器件内可以提高器件的散热效率。本申请实现极大缓解肖特基接触附近较大电流导致结温升高的现象，提高肖特基二极管的耐高温性能的效果。