一种采用垂直孪晶结构抑制In基钎料焊接界面柯肯达尔孔洞形成的方法

本发明提供了一种采用垂直孪晶结构抑制In基钎料焊接界面柯肯达尔孔洞形成的方法，其包括以下步骤：通过电沉积的方式在表面处理后的上下两块待焊金属基板表面分别附着一层尺寸为5×5 mm以及10×10 mm，厚度为20‑40μm，具有垂直取向纳米孪晶结构纯铜镀层，在设定的键合温度、压力以及时间下进行热压键合实验；采用本发明的技术方案，利用纳米孪晶结构中垂直排列的孪晶界扩散系数低的结构特征，降低界面元素的扩散速率，维持通量平衡，以及垂直取向纳米孪晶薄膜的低杂质特性，进而限制了焊接界面柯肯达尔空洞的形成。本发明提供的方法操作简便，对提升In基低温键合体系连接可靠性有着重大意义。