一种掺杂氧化镓陶瓷靶材及其制备方法与应用

本发明公开了一种掺杂氧化镓陶瓷靶材及其制备方法与应用，属于陶瓷靶材技术领域。该靶材的制备包括：将镓源、锡源以及镁源混合，得到混合溶液；调节混合溶液的pH值至9~9.5；于180℃~240℃的条件下进行微波水热反应，保温4h~8h；反应结束后，将固体洗涤、干燥，于真空环境、1000℃~1200℃及50MPa~75MPa的条件下预烧结0.5h~2h，再于780℃~820℃及O与N的混合气氛下退火处理2h~4h。该方法操作简单，过程易控，可制备出致密度高且电阻率适宜的掺杂氧化镓陶瓷靶材，适用于制备高性能功率电子器件（如场效应晶体管、肖特基二极管）和深紫外光电探测器所需的高质量氧化物半导体薄膜。