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一种共溅射合金薄膜、制备方法及应用

发明专利有效
7权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

田宏伟; 李中华; 王延超; 王笑夷

IPC 分类

C23C 14/16 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 14/02 (2006.01)C23C 14/54 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)C22C 5/04 (2006.01)C22C 45/10 (2006.01)G03F 1/22 (2012.01)

本发明公开了一种共溅射合金薄膜、制备方法及应用,属于极紫外掩模吸收材料技术领域,本发明涉及一种通过磁控溅射共溅射制备Pt‑W合金薄膜的方法和其相关应用,制备方法包括以下步骤:根据薄膜的结合能力和刻蚀能力设计三层结构,上层Pt,中层Pt‑W合金,下层W三层膜系,将Pt靶材和W靶材安装在磁控溅射系统上;采用双靶磁控溅射共溅射方法在基片上制备共溅射Pt‑W合金薄膜;共溅射Pt‑W合金薄膜通过计算设计元素比例。本发明为新型的极紫外掩模吸收层研发提供一种方案。