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纳米缺陷的检测方法和检测系统

发明专利有效
13权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

马海祥; 张子扬; 赵行宇; 冯甫

IPC 分类

G01B 11/00 (2006.01)G01N 21/88 (2006.01)G01N 21/95 (2006.01)H10P 74/20 (2026.01)

本申请公开一种纳米缺陷的检测方法和检测系统,纳米缺陷的检测方法包括:生成纵向自旋偶极光场,纵向自旋偶极光场包括两个相反旋向的自旋光场,在测试光束的传播方向上,纵向自旋偶极光场由一个旋向的自旋光场逐渐演化为与之反向旋向的自旋光场,且纵向自旋偶极光场为均匀亮光斑;获取待测产品对纵向自旋偶极光场的散射光场;分离散射光场中两个不同旋向的自旋光场成分;确定两个不同旋向的自旋光场成分之间的差值与两个不同旋向的自旋光场总强度的比重;根据比重确定纳米缺陷的纵向位置。如此,对纳米缺陷的纵向位置的检测分辨率可以突破传统光学测量衍射极限的限制,实现纳米缺陷纵向位置的高精度测量。