一种PMOS晶体管阈值电压的片上测量电路及方法、辐射总剂量监测电路

本发明涉及辐射环境下PMOS晶体管阈值电压的测量电路及方法，具体涉及一种PMOS晶体管阈值电压的片上测量电路及方法、辐射总剂量监测电路，解决了现有PMOS晶体管阈值电压测量装置无法在线监测阈值电压变化，或者体积较大、精度较低的技术问题。本发明的PMOS晶体管阈值电压的片上测量电路采用差分方式，利用减法器电路对PMOS晶体管源漏两端的电压进行采样，可有效消除外界对被测信号产生的共模噪声，还可在芯片上实现，有效缩小测量电路的体积和重量，实现PMOS晶体管阈值电压的实时监测。同时，本发明还提供一种辐射总剂量监测电路，在PMOS晶体管近端对信号进行处理放大，可有效提高被测信号强度和抗干扰能力，进一步减小体积。