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一种SiC MOSFET浪涌失效实时判别方法及系统
发明专利有效
8权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
钟宇; 赵子昂; 韩吉胜; 徐现刚; 李汉和
IPC 分类
G01R 31/26 (2020.01)G06F 30/3308 (2020.01)G06N 3/0442 (2023.01)G06N 3/045 (2023.01)G06F 119/02 (2020.01)
本发明涉及一种SiC MOSFET浪涌失效实时判别方法及系统,包括:步骤1:采集SiC MOSFET浪涌波形数据,进行多尺度物理特征提取,得到物理频带能量特征;步骤2:对物理频带能量特征进行特征对齐,形成标准化的特征向量;步骤3:构建浪涌失效预测模型,将浪涌失效预测模型输出结果进行温度补偿,判断失效状态。本发明通过高速数据采集系统捕获浪涌事件中的电流电压波形,采用自适应小波包分解技术提取关键物理频带能量特征,构建脉宽归一化编码模型实现特征对齐,并设计物理引导退化路径自编码器模型进行失效预测。本发明创新性地解决了不同脉宽浪涌的失效判别难题,具有高精度、实时性强和的特点。