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一种抑制漏电的存储器电路结构

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

IPC 分类

G11C 5/14 (2006.01)G11C 29/02 (2006.01)

本发明提供了一种抑制漏电的存储器电路结构,属于半导体存储技术领域,包括:接地电阻切换电路连接于存储阵列的SL读电路接地端,且接地电阻切换电路包含可切换电阻模块;温度检测模块用于检测环境温度并输出控制信号,控制接地电阻切换电路在环境温度达到设定阈值时使SL读电路接地端串接可切换电阻模块,在环境温度低于设定阈值时使SL读电路接地端断开可切换电阻模块并直连接地;参考调整模块连接于存储阵列的参考端,用于在可切换电阻模块串接时同步调整参考端的电流或电压特性;通过串接可切换电阻模块抬高SL电压,使未选中bitcell的VGS或VGD为负值,有效抑制高温漏电。