一种新型单多晶开关单元结构

本发明公开一种新型单多晶开关单元结构，属于半导体器件领域，包括两个选择管、两个控制管以及信号传输管，两个控制管间P+注入区与所述信号传输管的栅极通过金属电极相连，控制管的结构包括控制栅区和编程区，控制栅区用于耦合浮栅上的电压实现控制管的编程与擦除操作。本发明通过单多晶控制管对信号传输管的栅端电位控制，实现对信号传输管的开关，有效隔离信号传输管与单多晶控制管，增强其抗干扰能力，并且其制造工艺与CMOS工艺完全兼容，具有非易失性、可重构性、低功耗、低成本、易实现工艺移植等优势，可嵌入到混合信号电路。