一种半导体激光芯片

本发明涉及一种半导体激光芯片，由下至上依次为包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、耗尽区调节层、绝缘层、P面电极，所述耗尽区调节层位于P型半导体层和绝缘层之间。该半导体激光芯片通过设置耗尽区调节层为金属层，并且耗尽区调节层的功函数小于P型半导体层的功函数，耗尽区调节层与P型半导体层的连接区为肖特基接触区，利用肖特基接触的电压调节机制，通过对耗尽区调节层加电压作用于接触界面时，势垒高度变大，增大耗尽区的范围，可以将空穴的活动边界与接触界面的边界拉开，更好的限制空穴溢出，降低激光器的漏电流，进而降低激光器的阈值电流，提高激光器的发光效率。