NiZn材料多层共模EMI滤波电感高频寄生电容的抑制方法

本发明公开了一种NiZn材料多层共模EMI滤波电感高频寄生电容的抑制方法，该方法包括：在NiZn磁芯上对称折返绕制多层绕组：第一层绕组从磁芯中部向两端对称绕制；当第一层绕组达到目标匝数时，再从两端反向向磁芯中部对称绕制，以形成第二层绕组；若目标匝数为奇数，则第二层绕组中部保留一匝空位，若目标匝数为偶数，则第二层绕组中部保留两匝空位；第二层绕组绕制完成后，再从磁芯中部折返向两端对称绕制，之后再从两端反向向磁芯中部对称绕制并保留对应匝空位，以此类推，直至达到目标绕组层数。本发明提出了一种对称折返式的多层绕制策略，通过从绕组中心向两端对称绕制、保留折返缓冲区、控制首末匝相对位置等结构优化手段，降低高频寄生电容。