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功率半导体装置
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
吉田健太郎; 高桥一
IPC 分类
H03K 17/14 (2006.01)H03K 17/567 (2006.01)H03K 17/687 (2006.01)H02M 7/487 (2007.01)H02M 7/00 (2006.01)
本发明的目的在于提供一种能够抑制流过半导体元件的电流的不平衡的技术。本发明的功率半导体装置包括多个功率模块。多个功率模块的封装的外形相同。多个功率模块包括:由第1半导体构成的第1半桥模块;以及由第2半导体构成的第2半桥模块、由第2半导体构成的第2继电器模块、以及由第2半导体构成的第2二极管模块中的至少任一个。