1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法

本发明公开了一种1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法，包括：步骤一、在半导体衬底上依次形成ONO结构的第一栅介质层和第一多晶硅层。步骤二、对第一多晶硅层和第一栅介质层进行第一次图形化刻蚀以形成各存储单元的控制栅的第一侧面。步骤三、在各控制栅的第一侧面处自对准形成栅间侧墙。步骤四、在各存储单元对的两侧的栅间侧墙侧面自对准形成选择栅。步骤五、对第一多晶硅层和第一栅介质层进行第二次图形化刻蚀以形成各控制栅的第二侧面。步骤六、形成第二侧墙。步骤七、进行源漏注入。本发明能增加控制栅和选择栅之间的栅间侧墙的厚度从而能降低控制栅和选择栅之间的寄生电容并同时能减少选择栅的外侧面的侧墙厚度并从而改善器件的电流能力。