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一种多层自选通存储器及其制备方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

徐明; 王雨豪; 王欢; 胡恒怿; 付麒; 童浩; 缪向水

IPC 分类

H10B 63/00 (2023.01)H10N 70/20 (2023.01)H10N 70/00 (2023.01)

本发明公开了一种多层自选通存储器及其制备方法,属于微电子器件领域,器件从下至上依次包括:第一电极层、绝缘层、第一功能层、第二功能层和第二电极层;绝缘层上具有通孔;第一功能层的厚度大于等于第二功能层的厚度,并且,第一功能层的存储窗口大于第二功能层的存储窗口,第二功能层的耐久性大于第一功能层的耐久性。本发明采用具有大存储窗口的第一功能层,并引入具有高循环耐久性的第二功能层改善第一功能层与第二电极层间的界面,使得自选通存储器能够同时具有大存储窗口和高耐久性。