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기록
高压二极管及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
출원인
青岛惠科微电子有限公司; 青岛惠芯微电子有限公司; 北海惠科半导体科技有限公司
발명자
杨忠武; 梁洪春; 鲁艳春
IPC 분류
H10D 8/00 (2025.01)H10D 8/01 (2025.01)H10D 62/00 (2026.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/60 (2025.01)H10D 64/00 (2025.01)H10D 64/01 (2025.01)H10W 74/10 (2026.01)
本申请公开了一种高压二极管及其制备方法,所述高压二极管包括衬底、外延层、主结沟槽、多晶硅场板、阳极层和侧阻隔部,所述外延层远离所述衬底的一侧设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环区,所述主结沟槽设置在所述主结区,且所述主结沟槽的深度小于所述主结区的深度;所述多晶硅场板设置在所述主结沟槽内,所述阳极层设置在所述多晶硅场板上,所述侧阻隔部设置在所述主结沟槽内,且位于所述多晶硅场板的侧边和所述主结沟槽的槽壁之间,所述侧阻隔部由高阻抗材料构成。通过上述设计,能够提升高压二极管的动态雪崩耐量,避免高压二极管在反向恢复过程中主结区边缘处电流集中,导致主结区边缘处烧毁。