一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法

本发明公开一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，包括：N漂移层；阳极金属，形成于N漂移层之上并与N漂移层形成肖特基接触；第一沟槽，设置于阳极金属下方的N漂移层中；第二沟槽，设置于阳极金属下方的N漂移层中；其中，第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。本发明中，较深的第一沟槽在器件内部通过电荷平衡作用，允许提高漂移层掺杂浓度，从而显著降低正向导通压降；较浅的第二沟槽则在表面有效抑制阳极边缘的电场集中，减弱镜像力势垒降低效应，进而大幅降低反向漏电流并提升耐压一致性；同时，浅沟槽结构还有助于减小阳极与漂移层间的寄生电容，改善高频开关性能。