一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法

本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法。该集成高热导介质碳化硅场效应晶体管包括：碳化硅外延片；第二掺杂类型阱区，形成在碳化硅外延层的上部；第一掺杂类型JFET区，形成在第二掺杂类型阱区下方；第一掺杂类型源区和形成在第一掺杂类型源区两侧的第二掺杂类型源区；多个间隔分布的沟槽，延伸至碳化硅外延层；第二掺杂类型埋层，形成在沟槽底部的的碳化硅外延层中；有源栅极，形成在沟槽中；高热热介质，填充在有源栅极两侧的沟槽中作为散热通道；隔离绝缘介质，其间隔覆盖各沟槽上表面；源极，其覆盖绝隔离缘介质表面，并在窗口处与第一掺杂类型源区和第二掺杂类型源区表面相接触；漏极，形成在碳化硅外延片的背部。