屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管

本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管，方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层内形成有从上表面延伸至内部的沟槽；形成覆盖沟槽的内壁的介质层；在被介质层覆盖后的沟槽中填充多晶硅层，多晶硅层的顶部具有凹陷；形成填充凹陷的流动性涂层；刻蚀流动性涂层和多晶硅层，使多晶硅层的顶面低于沟槽的槽口且保持平整；去除介质层的覆盖沟槽上部侧壁的部分，以暴露出多晶硅层的部分侧壁；执行热氧化工艺，多晶硅层的未被介质层覆盖的部分的表层被氧化成栅间氧化层，被沟槽的内壁暴露出的半导体材料层的表层被氧化成控制栅介质层，剩余的多晶硅层形成屏蔽栅极。如此能够保障屏蔽栅沟槽型晶体管性能的稳定性和可靠性。