半导体器件及其形成方法

器件包括衬底上方的多个纳米片、邻近多个纳米片的源极/漏极部件，以及设置在多个纳米片上方且位于相邻纳米片之间的栅极结构。栅极间隔件设置在栅极结构顶部的相对侧的侧壁上方。内部间隔件在第一方向上介于多个纳米片中相邻纳米片的横向端部之间，并在第二方向上介于栅极结构的部分与源极/漏极部件之间。每个内部间隔件包括芯层以及设置在芯层的顶面和底面上的衬垫层。在栅极间隔件下方的纳米片的部分与栅极结构的顶部下方的纳米片的部分之间的界面处，存在多个纳米片在第三方向上的尺寸的偏移。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。