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半导体器件

发明专利有效
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

IPC 分类

H10D 84/85 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)

一种半导体器件包括在第一方向上延伸的第一鳍图案、在第一鳍图案上的源极/漏极图案、在第二方向上延伸的栅电极、与第一鳍图案接触的绝缘结构、在第三方向上与绝缘结构重叠的下导电图案和上导电图案、以及延伸穿过绝缘结构并且电连接下导电图案和上导电图案的连接接触。第一鳍图案包括第一鳍部分、与第一鳍部分间隔开的第二鳍部分以及在第一鳍部分与第二鳍部分之间的第三鳍部分。第一鳍部分在第二方向上的宽度和第二鳍部分在第二方向上的宽度大于第三鳍部分在第二方向上的宽度。