一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法，该三结砷化镓太阳电池外延片自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底超晶格隧穿结、DBR、中电池、中顶超晶格隧穿结、顶电池、欧姆接触层，中底超晶格隧穿结和中顶超晶格隧穿结均含有超晶格层。本发明通过结构优化，旨在传统太阳电池P‑N‑N结构的基础上进行隧穿结结构优化，使得电池间具有更优的电流匹配，可全面提高器件的整体光电转换效率。