集成芯片及其形成方法

在一些实施例中，本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件区域的衬底，器件区域具有一个或多个半导体器件。衬底具有沿器件区域的相对侧在衬底内形成一个或多个沟槽的一个或多个内表面。多层膜堆叠件沿衬底的一个或多个内表面设置。芯材料布置在一个或多个沟槽内并且由多层膜堆叠件围绕。多层膜堆叠件包括分别具有不同电子亲和能的多种介电材料。多种介电材料布置为在多层膜堆叠件内形成一个或多个势阱。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。