硅通孔的无掩膜刻蚀方法

本发明提供一种硅通孔的无掩膜刻蚀方法。该方法包括：采用第一连续射频波等离子体刻蚀工艺对第一介质层进行刻蚀；采用脉冲等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行刻蚀；以及采用第二连续射频波等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行进一步刻蚀。其中，脉冲等离子体刻蚀通过周期性地开启和关闭偏置功率，在偏置功率关闭阶段于硅通孔的拐角和侧壁形成聚合物保护层，同时保持对孔底部的刻蚀。本发明通过在刻蚀与保护间建立动态平衡，有效解决了传统工艺中拐角保护不足导致高介电常数膜层裸露的问题，能够保留大于100nm的拐角保护层厚度，显著提升了芯片的成品率及可靠性。