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集成芯片及其形成方法

发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

余治宽; 洪丰基; 丁世汎; 杨敦年

IPC 分类

H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/00 (2025.01)

本申请的实施例公开了一种集成芯片及其形成方法。集成芯片包括光电探测器、传输晶体管、第一像素晶体管、电容器、第二像素晶体管和接合结构。传输晶体管的第一端子耦合到光电探测器的第一端子。第一像素晶体管位于第一半导体芯片上。第一像素晶体管的第一端子耦合到传输晶体管的第二端子。电容器位于第一半导体芯片上。电容器的第一端子耦合到第一像素晶体管的第二端子。第二像素晶体管位于与第一半导体芯片接合的第二半导体芯片上。接合结构位于第一半导体芯片和第二半导体芯片接合在一起的界面处。接合结构将电容器的第二端子耦合到第二像素晶体管的第一端子。