半导体结构、图像传感器

本申请提供了一种半导体结构、图像传感器。半导体结构包括：衬底、光电二极管和彩色滤光元件；其中，光电二极管包括：依次层叠于像素区表面的第一光电功能层、第二光电功能层、第三光电功能层，以及形成于第一光电功能层两侧的第四光电功能层；第一光电功能层的材质为砷化硅，第二光电功能层和第四光电功能层的材质为磷化硅，第三光电功能层的材质为锑化硅；第二光电功能层位于第一光电功能层远离衬底一侧的表面；第三光电功能层靠近第一光电功能层一侧的底面和侧面均与第二光电功能层接触且被第二光电功能层包围。本申请的半导体结构能够在光电二极管中形成位能阱和高效的电子运输通道，从而产生更多光电子，提升光电转换效率。