一种BC背接触太阳能电池的制作方法

本发明提供了一种BC背接触太阳能电池的制作方法，包括以下步骤，S3、在硅片背面沉积钝化接触结构，钝化接触结构至少包含隧穿氧化层和本征硅层；S4、在本征硅层上，通过印刷方式分别在预定形成P型接触和N型接触的区域施加含P型掺杂源的浆料和含N型掺杂源的浆料；S5、采用激光扫描所述硅片背面，利用激光能量激活并驱动P型掺杂源和N型掺杂源向下扩散，一次性选择性形成P++重掺杂区和N++重掺杂区；S6、对硅片进行高温退火处理；S7、对硅片进行酸洗清洗；S8、对硅片正面进行制绒处理；S9、在硅片正面和背面沉积钝化层和减反层；S10、在硅片背面的P++和N++重掺杂区上形成金属电极。该工艺流程简化、生产成本低、转换效率高。