一种电池芯片背电极钝化方法

本发明公开了一种电池芯片背电极钝化方法，涉及电池芯片技术领域，包括将电池芯片置于反应腔内，控制反应腔温度和背压，脉冲注入由三甲基铝与叔丁胺配位反应制备的位阻型缓释前驱体溶液，进行化学吸附，吹扫后通入双频共振级联工作气，开启高频射频电源进行处理，形成初态亚单层；保持高频射频电源开启，叠加低频射频电源，利用线性爬坡控制低频功率，通过物理轰击将初态亚单层转化为致密阻隔层；关闭低频射频电源，将高频射频电源降至低功率状态，保持双频共振级联工作气吹扫，进行副产物的解吸溢出处理。本发明在单次真空制程中兼顾了敏感界面的低损伤保护与膜层的高致密性，有效去除了膜层杂质，提升了电池芯片的耐腐蚀性能与长期可靠性。