一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法

本发明属于有机场效应晶体管技术领域，具体涉及一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法。该高迁移率场效应晶体管包括栅极、绝缘层、有机半导体层、源极、漏极，绝缘层位于栅极与有机半导体层之间，绝缘层与有机半导体层之间设置OTS修饰层，有机半导体层在从栅极至源极、漏极的方向上由C8‑BTBT层/(Pentacene层/C8‑BTBT层)n，n=2组成。由C8‑BTBT和并五苯组成的有机双量子阱，通过不同能隙材料交替形成势阱，将载流子限制在窄能带区域，减少散射并促进定向输运，极大的提高晶体管的迁移率。