深沟槽的形成方法

本发明公开了一种深沟槽的形成方法，包括：在半导体衬底表面依次形成硬质掩膜层和光刻胶，对光刻胶进行图形化以在深沟槽的形成区域形成第一开口。对硬质掩膜层进行刻蚀形成穿过硬质掩膜层的第二开口。对半导体衬底进行第一次浅表刻蚀形成第一浅表沟槽，第一浅表沟槽的深度满足将在后续第二次主体刻蚀中易于产生底切缺陷的沟槽顶角区暴露。在第一开口、第二开口和第一浅表沟槽的侧面形成保护层且第一浅表沟槽的底部表面暴露。对半导体衬底进行第二次主体刻蚀形成第二主体沟槽，在第二次主体刻蚀中，保护层对沟槽顶角区进行保护以防止在沟槽顶角区产生底切缺陷。本发明能防止深沟槽产生顶部底切缺陷。