改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法

本发明提供一种改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法。该方法通过将刻蚀工艺分解为主刻蚀与过刻蚀两步，其特征在于，在过刻蚀步骤中，采用包含CF4和CHF3的刻蚀气体，并将CF4与CHF3的流量比设置为不小于1.2:1，以增强对硅草的化学去除能力；同时，将反应腔室的压力控制在小于150mTorr，以提升副产物抽速并补偿因气体比例调整而产生的尺寸偏移。本申请通过对过刻蚀步骤中气体化学组分与腔室压力的协同优化，能够在改善小线宽、厚介质层结构中硅草缺陷的同时，精确维持接触孔的临界尺寸和优良轮廓，解决了现有技术难以兼顾的难题，显著提升了工艺稳定性和产品良率。