基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法

本发明公开了基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，具体涉及半导体制造技术领域，包括CVD前洗净机，所述CVD前洗净机包括有SC‑1药液槽，在所述CVD前洗净机的SC‑1药液槽进行药液换液过程中，执行氢氟酸泡槽工序，该工序包括以下步骤：S1：排空所述SC‑1药液槽中的残余药液；S2：向空槽中加入预定体积和浓度的氢氟酸溶液。本发明所述的基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，通过引入HF酸泡槽工序，在SC‑1药液槽换液过程中定期执行HF酸循环浸泡，能够溶解和去除积累在槽体及循环管路中的金属铝污染物，实验数据表明，与传统无泡槽操作相比，本发明可使CVD前洗净机中的金属铝水平降低高达32%，从而减少硅片在清洗过程中的二次污染风险，改善半导体器件的电性能和良率。