半导体器件的制造方法

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在衬底中形成用于制造局部氧化层的沟槽，并在沟槽侧壁的衬底中掺杂第一离子而形成侧壁阻挡层，进一步在沟槽中进行硅外延工艺，从而通过将沟槽中的硅氧化来形成局部氧化层，且在局部氧化层形成过程中通过侧壁阻挡层阻挡氧的横向扩散，进而减小鸟嘴效应。而且无需减薄沟槽外围衬底上的刻蚀阻挡层的厚度，也无需减薄局部氧化层的形成厚度，因此保证了局部氧化层的形成厚度以及器件可靠性。