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互连结构及其形成方法

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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

郭家邦; 林彦均; 刘仁伟; 江明洲; 翁政辉

IPC 分类

H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/44 (2026.01)H10W 20/45 (2026.01)

一种互连结构及其形成方法。互连结构包括设置于第一介电层中的第一导电结构、设置于第一介电层上方的第二介电层,以及设置于该第二介电层中及该第一导电结构上方的第二导电结构。第一导电结构包括第一阻障层及第一主导电层。第二导电结构包括第二阻障层、第二主导电层以及第三导电材料。第二阻障层包括选自钌或钼的第一导电材料。第二主导电层设置于第二阻障层上方且包括第二导电材料。第三导电材料作为掺杂于第二主导电层中的掺杂剂或作为第二主导电层与第二阻障层之间的连续层,第三导电材料选自锰、钛、钴、钌、铝、锌、铟或其组合。