高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法

本发明涉及倒装封装技术领域，公开了高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法。该方法通过构建耦合聚焦声场、自下而上温度梯度与电化学反应的多物理场环境，利用声流效应强化孔底传质，结合热梯度提升底部反应速率，并基于原位交流阻抗实时调控声场焦点与电流密度，实现无缺陷自底向上填充。该系统包括电解液槽体、热控模块、相控声学换能器阵列、电化学工作站、阻抗监测单元及中央控制单元。本发明显著提升了填充致密性与工艺重复性，适用于深宽比超20:1的极端结构，为高性能芯片3D封装提供关键技术支撑。