晶圆的切边方法

本申请公开了一种晶圆的切边方法，包括：在第一晶圆上形成高应力氧化物层，高应力氧化物层覆盖形成于第一晶圆上的半导体器件区域，半导体器件区域中形成有半导体器件及其金属互连结构；在高应力氧化物层上形成PEOX层；在PEOX层上形成TEOS层；对TEOS层进行平坦化处理；将第二晶圆与第一晶圆键合，TEOS层与第二晶圆的表面键合；对第一晶圆进行切边处理。本申请通过在第一晶圆上依次形成高应力氧化物层、PEOX层和TEOS层，对TEOS层进行平坦化后使第一晶圆与第二晶圆键合，再对第一晶圆进行切边处理，能够改善晶圆键合后的形貌，降低边缘键合处的台阶差，从而改善切边处理中的崩边现象。