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溅射靶及制造溅射靶的方法
发明专利有效
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16权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
蔡永跃; 孙毅; 亨里克·施密德; 托马斯·谢勒
IPC 分类
B22F 3/18 (2006.01)C22C 1/04 (2023.01)C22C 1/047 (2023.01)B22F 3/24 (2006.01)B22F 3/105 (2006.01)B22F 3/15 (2006.01)B22F 3/17 (2006.01)B22F 3/04 (2006.01)B22F 3/10 (2006.01)C22C 19/03 (2006.01)C22F 1/10 (2006.01)C22F 1/18 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)
本发明提供一种溅射靶及制造溅射靶的方法，溅射靶含有55重量％至80重量％Ni、余量W及一般杂质，其中溅射靶含有W相、Ni(W)固溶相、不含纯Ni相且不含或含有以靶材截面量测的平均面积比例小于5％的金属间相。