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碳-硅/碳复合材料及其制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
金度兴; 全孝镇; 金义德; 任壮彬; 蔡洙宗; 李珍洙; 朴成修
IPC 分类
C01B 32/05 (2006.01)C01B 33/02 (2006.01)H01M 4/36 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/02 (2006.01)
本发明涉及一种碳‑硅/碳复合材料及其制备方法。在所述碳‑硅/碳复合材料中，硅/碳复合基质形成在具有受控孔特性的多孔碳载体的表面上和孔内。当根据本发明的一个实施方式的碳‑硅/碳复合材料用作负极活性材料时，导电性优异，并且可以缓解由硅的体积膨胀引起的应力。