具有界面层的电阻式随机存取存储器（RRAM）器件

本公开涉及一种电阻式随机存取存储器（RRAM）器件。RRAM器件可以包括第一电极、在所述第一电极上制造的第一界面层、包括至少一种过渡性金属氧化物的切换氧化物层和在所述切换氧化层上制造的第二电极。所述界面层可以包括介电材料的不连续层和沉积在所述介电材料的不连续层中的导电材料。所述界面层位于所述第一电极和所述切换氧化物层之间。所述介电材料可以是和/或包括AlO、SiO、SiN、MgO、YOGbO、SmO、CeOErO或LaO等。所述导电材料可包括金属、导电氧化物、导电氮化物等。