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磁存储元件的制造方法
发明专利有效
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8权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
犬饲晃司; 都贺裕太; 一户大吾; 志水诚; 中十知; 井土宏
IPC 分类
H10B 61/00 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)
以高精度制造微细图案的磁存储元件。磁存储元件（1）包括：磁穿隧接面层（30），具有由两个磁性层（31）及磁性层（33）夹持绝缘层（32）的结构且电阻状态根据这些磁性层（31）及磁性层（33）中的一者的磁化方向而发生变化；以及金属层（40），设置在磁穿隧接面层（30）上。磁存储元件（1）的制造方法包括：在形成有电极层（20）的基板（10）上形成具有开口部（50a）的抗蚀剂膜（50）的工序；于在开口部（50a）露出的电极层（20）上形成磁穿隧接面层（30）的工序；在磁穿隧接面层（30）上形成金属层（40）的工序；以及去除抗蚀剂膜（50）的工序。