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一种莫尔纹金超晶格结构及其大面积制备方法
发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
李越; 刘开涛; 陈志明; 陈嘉斌; 杨帆
IPC 分类
B22F 1/16 (2022.01)B22F 1/054 (2022.01)C23C 26/00 (2006.01)C23C 14/20 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)B82Y 40/00 (2011.01)
本发明属于微纳光学材料制备技术领域,具体公开了一种莫尔纹金超晶格结构及其大面积制备方法。该方法首先利用溶剂蒸发自组装技术,在基底上构筑单层PS微球有序阵列,并以此为牺牲模板,旋涂制备不同周期的PU压印模板。随后,采用该模板对光学胶进行压印,形成六方非密排半球阵列。进一步通过离子溅射和退火,获得六方非密排金纳米阵列。最后,在金纳米阵列表面蒸镀TiO薄膜,旋转一定角度后再次压印堆叠,即可制备莫尔纹金超晶格结构。该技术在衬底上可以快速制备莫尔纹金超晶格结构,通过调节两层阵列的旋转角度,可实现多种莫尔纹图案。结合高取向性的原始压印模版,可制备大面积、高一致性的莫尔纹金超晶格结构,适合工业化的大规模生产应用。